总的来说，就已有的信息来看，国产“28nm光刻机”几大关键的部件的似乎并未完全搞定，也没有全部通过02专项的验收，所以作为主要负责“28nm光刻机”系统总成的上海微电子自然也难以在今年年底实现“28nm光刻机”项目验收和交付。 另外前期对于项目进展预期过于乐观、研发投入相对不足，以及各个关键部件的研发完全独立、缺乏紧密协作，也可能是导致项目进度未能如期的一大原因。 据上海微电子官网介绍，其主要生产 SSA600 和 SSA500 两个系列的光刻机。 中国现代国际关系研究院美国研究所研究员程宏亮27日对《环球时报》记者表示，美国近来一直向荷兰和日本施压，要求其配合对华出口管制。 日本首相岸田文雄访美时，双方就将“保护”和维护它们在半导体等关键和新兴技术的地位写入美日联合声明。 荷兰首相访问美国时，当时并未完全答应美国的要求，于是美国一直在向荷兰施压。
- 至于通够用于7nm及以下工艺的EUV光刻机,只有ASML能生产,并不能卖给中国大陆厂商。
- 浸没液体相比于传统气体介质具有较高粘度，粘性力的增强，使得压力驱动下浸没液体对投影物镜的作用力将变得越来越不可忽视。
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- 尽管华为麒麟处理器存货越用越少，我们也都在期待华为手机王者归来，但这个难题短期内能够完全靠国产解决的可能性不大，最终可能还是需要通过全球供应链去解决。
除了荷兰ASML受影响之外，荷兰的另一大半导体设备厂商ASMI预计也将会进一步受到负面影响。 上海微電子 duv 此前ASMI就曾表示，其2022年第三季度订单受美国对华出口管制新规影响。 ASMI预计，新规将影响其在中国大陆40%以上的销售额，因此该集团决定减少第三季度的订单和相关积压订单。
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同时，EUV相较DUV简化了光刻流程的复杂性，使客户能够提高成本效益。 我们认为，掌握EUV技术，就是掌握未来半导体先进制程的发展方向和制高点。 美国作为全球半导体龙头，深知EUV技术的重要性，所以必会牢牢控制EUV技术。 为了追求芯片更快的处理速度和更优的能效，需要缩短晶体管内部导电沟道的长度，而光刻设备的分辨率决定了IC的最小线宽。 EUV作为5nm及更先进制程芯片的刚需，覆盖了手机SoC、CPU、GPU、1γ工艺DRAM等多种数字芯片。
目前尼康和ASML的DUV光刻机可以实现的晶体管特征线宽不低于10nm。 但是想要实现晶体管特征线宽达到7nm那么就只有ASML的EUV光刻机了。 从以下公式可以看到，光刻分辨率（R）主要由三个因数决定，分别是光的波长（λ）、镜头半孔径角的正弦值（sinθ）、折射率（n）以及系数k1有关。 有研究机构的统计资料显示，2020年全球光刻机总销售量为413台。 其中ASML销售258台占比62%，佳能销售122台占比30%，尼康销售33台占比8%。
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总之有了28nm国产光刻机能搞定目前99%的芯片就行了。 本人，本科某985毕业 研究生法国某工程师大学，五年海外某头部半导体设备厂核心研发团队任职经验，于今年回国，担任某企业技术中层，参与了一系列包括中科院微电子所中科院半导体所光电子创新中心上海微电子所重庆联合微电子等等的项目。 目前，在光刻机方面，除了上海微电子，还有华卓精科涉足双工件台业务，其双台系列主要应用于65nm及以下节点的ArF干式、侵没式步进扫描光刻机等。 此外，随着日本跟进美国对华半导体新规，也将对日本半导体厂商，例如东京电子、尼康等设置类似的限制。 日本半导体设备大厂东京电子之前也曾表示，美国10月7日才公布的新规就直接导致了东京电子2022财年（截至2023年3月）来自中国大陆的营收目标减少了1250亿日元（约合人民币63.1亿元）。 如果看其2023年的整体营收，对比2022财年，预计将会受到更大影响。
正如前面所提到的，光刻机涉及到非常多的零部件，其中上海微电子主要是负责系统集成工作，更多的核心零部件则都是由其他的国产供应商来供应。 只要其中一个核心部件没有搞定，那么“28nm光刻机”就难以成功。 另据芯智讯了解，中芯国际此前也曾采购过一台上海微电子的SSX600系列光刻机，不过不知是何原因，该光刻机没有被应用到产线上。 当然,鉴于这个消息并不是官方消息,也不一定是真的,但相信绝大部分人都愿意相信这是真的,因为一旦真的可以搞定DUV光刻机,用于28nm工艺了,那么也就意味着在28nm这个阶段,差不多可以实现全国产了,这是中国芯的一大步啊。 之前有各种说法,基本上都是讲上海微电子的DUV光刻机快要出来了,能够支持到28nm工艺,但后来基本被证实不太靠谱,因为没有按照之前的时间发布。 所以如何将国产光刻机的技术提升上来,达到当前国产芯片的制造水平,已经是迫不及待的问题了,不说EUV,好歹来个DUV光刻机,也就是193nm ArF浸润式光刻机吧,这样至少能够撑到7nm以上。
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富士康表示，该项目是富士康科技集团首座晶圆级封测厂，通过导入全自动化搬运、智慧化生产与电子分析等高端系统，打造业界前沿的工业4.0 智能型无人化灯塔工厂，预计达产后月封测晶圆晶片约3 万片。 12月6日消息，近日有中国台湾地区的报道称，11月26日在青岛正式投产的富士康集团首座晶圆级封测厂，引进多达46台上海微电子生产的28nm光刻机，并同时称这意味着大陆生产的光刻机实现从90nm到28nm的跨越。 现阶段，受《瓦森纳协定》限制，荷兰政府禁止ASML对华出口极紫外光刻机（使用13．4nm极紫外光源）。 但受目前已经能自主生产的SSA600／20（90nm），以及本次未通过验收的SSA800／10之惠，各类使用193nm深紫外光源（DUV）光刻机，却并未被列入（或者说已经被剔除出了）禁运目录。 上海微电子负责光刻机设计和总体集成，北京科益虹源提供光源系统，北京国望光学提供物镜系统，长春国科精密提供曝光光学系统，北京华卓精科提供双工件台，浙江启尔机电提供浸液系统。 ASML 周三公布了创纪录的收入和利润，尽管个人电脑和智能手机销售放缓，但对芯片生产设备的需求创下纪录，2022年第三季度，ASML实现了净销售额58亿欧元，毛利率为51.8%，净利润达17亿欧元。
但是，到了2020年年底，上海微电子的28nm光刻机并未入传闻那样实现交付。 消息称，上海微电子有望今年下线最新一代光刻机，其能够用于生产制造10nm以上的芯片，类似ASML的DUV光刻机，都是采用深紫外光源。 可以说，在成熟芯片市场，上海微电子的光刻机等设备占了很大一部分市场，尤其是国内，而在先进光刻机方面，上海微电子也在全面突破。 趁着这几年中国大规模芯片扩产之际，ASML加速交付中国市场DUV光刻机，待中国国产光刻机进入市场时，市场空间还有多少？ 最重要的，当时还是国产光刻机尽早上市，并确保性能、质量，但也还需要国内半导体产业在国产光刻机起步时给以支持。 从公开信息来看，前道制造光刻机的研发难度不言而喻，阿斯麦CEO温彼得（Peter Wennink）今年1月也直言，中国不太可能独立复制顶尖的光刻技术，甚至阿斯麦的设备中根本没有中国生产的零部件。
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而本次极有可能被“打回票”的上海微电子 SSA800／10 Arf光刻机，单次曝光分辨率达到了38～41nm，基本满足了“02专项”所要求的28nm工艺范围。 可以说，这就是一台设计用来帮助中国自主芯片“突围”的设备。 在中美科技战、贸易战的背景之下，中国半导体产业被美国“卡住了脖子”，而这其中最为关键的一环就是半导体设备，华为就是因为台积电、中芯国际等晶圆代工厂被美国禁止利用基于美国技术的半导体设备为华为代工，直接导致了华为自研芯片的断供。 上海微電子 duv 也就是说，目前上海微电子最先进的SSA600系列光刻机只能用于90nm制程的芯片制造。 但在上海积塔公布的中标信息中，国内多家半导体企业成为其供货商，唯独在光刻机方面，3台光刻机订单均被ASML拿走，国产光刻机厂商上海微电子并没有中标。
根据上海微电子官网资料显示，目前其已量产的光刻机主要有 SSX600 和 SSX500 两个系列。 SSB500 系列步进投影光刻机不仅适用于晶圆级封装的重新布线（RDL）以及 Flip Chip 工艺中常用的金凸块、焊料凸块、铜柱等先进封装光刻工艺，还可以通过选配背面对准模块，满足 MEMS 和 2.5D/3D 封装的 上海微電子 duv TSV 光刻工艺需求。 “OPC是EDA（电子设计自动化）工业软件的一种，没有这种软件，即使有光刻机，也造不出芯片。 计算光刻OPC原理图 2005年，从上海回到学校之后，刘世元在摸索中逐渐找准了自己的学术定位：面向IC制造需求，立足先进光刻与纳米测量基础理论及学术前沿开展研究。 中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示，该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。
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上海微电子成立于2002年，是半导体制造设备开发商和制造商。 目前最先进的设备是600系列微影机，可用于使用0.28微米、0.11微米和0.09微米处理技术制造芯片。 据业界消息，上海微电子装备可望在2021年第4季交付第二代深紫外光微影设备。 上海微電子 duv 上海微電子 duv 该设备可使用28nm制程生产芯片，且零组件均采用中国大陆和日本制，而不依赖美国，为中国半导体产业摆脱对美国的依赖跨出重要一步。
上海微電子是大陸光刻機製造的技術領先廠商，其目前光刻機產品主要包括SSX600和SSX500兩個系列。 其中， SSX600系列用於IC上游製造，最先進可以用於90nm晶片的製造，而SSX500系列則用於IC下游製造，即先進封裝。 基于内外双循环，当务之急是实现美国主导的非光刻设备（刻蚀机、PVD、CVD、ALD、清洗机、外延、测试、氧化、离子注入等）的突破。 截止2020年末，ASML的EUV中有90%零部件来自进口，而且根据ASML加入EUVLLC的承诺，美国零部件需占比55%以上。
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总结来说，光刻机可以算是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，其中包括上万种精密零部件，而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、软件、机械、图像识别等多个领域的尖端知识。 可以说，全世界没有一家企业，甚至可以说没有一个国家可以独立完成高精密半导体前道光刻机的完整制造。 在目前的光刻机市场，ASML、佳能以及尼康是最大的三家供应商，占据了全球99%的市场。 其中ASML 在中高端光刻机市场更是一家独大，且是全球唯一家拥有可以被用于7nm以下工艺制程的EUV光刻机的供应商。 近几年来，随着先进制程的持续推进，ASML凭借其独家拥有的售价超1亿美元的EUV光刻机，使得其在光刻机市场销售份额持续提升。 其实早在2020年6月的时候，网上就曾传出过国产“28nm光刻机”即将在2020年年底交付的传闻，当时芯智讯根据某开发区发布的新闻稿当中也找到了相关的信息，称“到2020年产品将与整机单位共同完成28nm国产光刻机的集成工作”。
哪怕做不出湿法，理论上用干法也是可以实现的，各个系统在应该都已具备，至于上海微电子何时能拿出来整机，只能等待时间了。 5.启尔机电：2019年12月，启尔机电浸液系统产品研制与能力建设通过02专项CDR里程碑评审，成为继ASML、尼康后全球第三家掌握这一技术的公司。 现在中科院、上海光机所和长春国科精密一起合作研发，进度未知。 据中国方正证券的一份研究报告披露，“在02专项光刻机项目二期中，设定的时间为2020年12月验收193纳米ArF浸入式DUV光刻机，其制程工艺为28纳米”，即网络上流传的28纳米光刻机（这个说法当然不准确）。 不过ASML 目前依然无法将 EUV 光刻机运送给其中国客户，现在也无法将它们运送到中国，因为他们使用的是在美国设计和生产的 Cymer 光源。 有消息显示，2019年底，华卓精科的浸没式光刻机双工件机台已经刚通过了02专项的CDR里程碑评审，研发和试产基地也完成了建设。
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此外，还有外媒称上海微电子将会推出一台28nm工艺DUV国产光刻机：“中国国产28nm DUV光刻机计划在今年年底前从上海微电子（SMEE）生产出来。 ” 最后还提到这台光刻机设备不仅仅可以生产28nm工艺芯片，同时还可以生产制造20nm工艺得到5G芯片。 早在2002年，光刻机就被列入国家863重大科技攻关计划，上海微电子装备有限公司也由此成立。 其中，600系列光刻机最新型号SSA600/20的分辨率为90nm，可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。 而国产首套90nm前道光刻机成功研制的时间是2009年，也就是说，上海微电子已经10余年没有更新前道光刻机产品信息。 荷兰阿斯麦（ASML）用于7纳米及以下芯片制造的EUV光刻机依然对中国禁售，只有制造14纳米及以上工艺芯片的DUV光刻机才有限制地出售给我们，今年第一季度ASML就向国内出货了23台DUV光刻机。
为推动国产半导体产业的发展，我国出台了免税等优惠政策，上万家企业入局半导体。 尽管在前一段时间里中科院的光刻机技术在5nm上取得进展，但很多人没有深入去了解清楚。 上海微電子 duv 激光直写光刻机由于不需要掩模板，所以非常有利于实验室环境。