個別獨立之極對24A、24B、24C可被一個接一個地控制，使得複數個相變化φi、及藉此高頻行進電磁場將生成。 高頻行進電磁場可譬如具有介於0.1與100百萬赫茲之間的交流頻率。 又，裝置可包括一錐形感應線圈，與電極同軸且位於電極之下方端的區域中，及調整成適應於熔化電極以生成熔體噴流。 電極及感應線圈可位於一外殼中，其中真空或鈍性大氣施加至外殼。 在一具體實施例中，液體源可為一熔體噴流源，特別地呈一電極。
試圖解決此一問題的涉及到許多近代物理的領域，雖然Yaghjian曾展試過這問題的解實際上相當簡單。 採用國際單位制，假設檢驗電流為1安培，作用於載流導線的單位長度的勞侖茲力為1牛頓/公尺 ，則檢驗電流感受到的磁場為1特斯拉。 字詞轉換是中文维基的一項自動轉換，目的是通過计算机程序自動消除繁简、地区词等不同用字模式的差異，以達到閱讀方便。
勞侖茲力: 物理君與薛小貓的生活科學大冒險：從家裡到太空，腦洞大開的226個物理現象與原理
主控制裝置20用(根據)定盤位置計測系統69A、69B的輸出來控制定盤驅動系統60A、60B，根據需要分別控制定盤14A、14B的XY平面的3自由度方向位置。 主控制裝置20係當定盤14A、14B做為後述的配衡質量來運作時，從定盤14A、14B的基準位置的移動量被收斂於特定範圍內，因為回到其基準位置，用(根據)定盤位置計測系統69A、69B的輸出，藉由定盤驅動系統60A、60B將定盤14A、14B驅動。 也就是說，定盤驅動系統60A、60B與微調馬達以相同目的被使用。 本實施形態的上述第四狀態中，定盤14A、14B以上述複數個浮上升降機構118，在基盤12A、12B上被浮上支持(非接觸支持)，晶圓台WST1、WST2移動時，做為配衡質量來運作。 再者，將定盤14A、14B以XY平面的3自由度方向(X、Y、θz)來驅動，例如設有由音圈馬達構成的定盤驅動系統60A、60B(第一圖、第三圖未顯示，參照第七圖)。
又，上述各實施形態中，計測條71也可以設有溫度感應器、壓力感應器、振動計測用的加速度感應器等。 又，也可以設有測定計測條的變形(扭曲等)的歪曲感應器或變位感應器等。 然後，也可以使用以這些感應器求得的值，來修正在微動台位置計測系統70或粗動台位置計測系統68A、68B獲得的位置資訊。 晶圓台WST1到達至如第三十七圖所示的第一負載位置後，主控制裝置20從用粗動台位置計測系統68A，將晶圓台WST1的XY平面內的位置計測，切換至用編碼器55、56、57的計測。
勞侖茲力: TWI536111B – 曝光裝置、曝光方法及裝置製造方法
第二計測頭群73具有，構成X線性編碼器55(參照第三十二圖)的X頭77x，構成一對Y線性編碼器56、57(參照第三十二圖)的一對Y頭77ya、77yb，以及構成面位置計測系統58(參照第三十二圖)的三個Z頭78a、78b、78c。 又，對應第二計測頭群73的各頭，在定盤14A’形成有光透過部(例如開口)142。 Z頭76a～76c構成面位置計測系統54(參照第三十二圖)，計測在各照射點的微動台WFS1(或WFS2)的面位置(Z軸方向的位置)。 各三個Z頭76a～76c的計測值被供給至主控制裝置20(參照第三十二圖)。 主控制裝置20，根據三個Z頭76a～76c的計測值，可經常進行微動台WFS1(或WFS2)的Z軸方向的位置資訊(面位置資訊)的取得。 又，主控制裝置20，用(根據)三個Z頭76a～76c的計測值，加上微動台WFS1(或WFS2)的Z軸方向的位置，計測(算出)θx方向及θy方向的回轉量。
- 第二十圖：在第二實施形態的曝光裝置，對載置於晶圓台WST1上的晶圓進行曝光，在晶圓台WST2上進行晶圓交換狀態的顯示圖。
- 微粒可譬如具有介於20微米與100微米之間的平均粒子大小或平均粒子直徑d50。
- 結果是即時輸入的集合；而這些輸入能精確指出裝置在世界上的任何位置。
- 又，相較於將導面形成的導面形成部材為一體的狀況，隨著使導面形成部材移動的裝置的維持時的作業性會提升。
- 在一具體實施例中，上述方法之又一步驟可為，圍繞液體噴流生成一氣流，氣流大致在第一方向上運動且在第一方向上進一步加速液體噴流。
當磁偶極矩垂直於磁場時，勢能等於零；當磁偶極矩與磁場呈相同方向時，勢能是最小值 ；當磁偶極矩與磁場呈相反方向時，勢能是最大值 。 令載流迴圈的面積趨向於零、電流趨向於無窮大，同時保持 不變，則這載流迴圈趨向於理想磁偶極子。 所以，處於外磁場的磁偶極子所感受到的磁力矩也可以用上述方程式表示。
勞侖茲力: 我們最近與一些頂級供應商合作，討論當前工程行業的發展趨勢。
又，相較於將導面形成的導面形成部材為一體的狀況，隨著使導面形成部材移動的裝置的維持時的作業性會提升。 以往，在製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等電子裝置(微裝置)的微影製程，主要是採用步進重複方式的投影曝光裝置(即光刻機)，或是步進掃瞄方式的投影曝光裝置(即掃瞄光刻機(或稱掃瞄機))等。 這種投影曝光裝置具有平台裝置，該平台裝置維持晶圓或玻璃板等基板(以下總稱為晶圓)，沿著特定的二維平面內驅動該晶圓。 在圖式所示之設計範例中，裝置20包括線圈總成22，線圈總成22具有三個極對24A、24B、24C。 請了解，在另一選擇設計範例中，線圈總成可具有多於或少於三個之極對。 線圈總成22係在未顯示出之液體源的沿運動方向之下游，且上述繞組係彼此平行配置且與液體噴流10同軸。
再舉一個例子，假若閉迴路掃掠過一個均勻的不含時磁場，由於閉迴路的形變，磁通量 會改變。 對於這三個案例，法拉第電磁感應定律正確地計算出磁通量變化率 所產生的電動勢。 其速度比較慢，會因不同種類的粒子而不同，又相依於其電荷量、質量或溫度。 、 、 ；其中， 、 、 分別為電場的三個分量， 是磁導率， 、 、 分別為導電體的移動速度的三個分量， 、 、 分別為輔助磁場的三個分量， 、 、 分別為磁矢勢的三個分量， 是電勢。
勞侖茲力: 勞侖茲力方程式的協變形式
接下來，關於本發明的第四實施形態，根據第二十八～三十七圖來說明。 勞侖茲力 在此，關於相同或同等於前述的第一、第二實施形態的構成部分，採用相同或類似符號並簡略或省略其說明。 又，主控制裝置20根據一對X線性編碼器的各計測值的差，算出計測條71的θz方向的位置(繞Z軸的回轉量)。 接下來，關於本發明的第三實施形態，根據第二十五～二十六圖來說明。 上述晶圓交換中，及其晶圓交換後，晶圓台WST2停止於第二負載位置間，主控制裝置20，在對新晶圓W晶圓對準(及其他前處理計測)的開始前，執行微動台位置計測系統70的第二計測頭群73，也就是編碼器55、56、57(及面位置計測系統58)的重設(原點的再設定)。
第二十四圖：在第二實施形態的曝光裝置，對載置於晶圓台WST2上的晶圓進行曝光，在晶圓台WST1上進行晶圓交換狀態的顯示圖。 第二十三圖：在第二實施形態的曝光裝置，位於曝光處的晶圓台從晶圓台WST1交換到晶圓台WST2狀態的顯示圖。 第二十圖：在第二實施形態的曝光裝置，對載置於晶圓台WST1上的晶圓進行曝光，在晶圓台WST2上進行晶圓交換狀態的顯示圖。 再者，例如美國專利第6,611,316號說明書所揭露，將兩個標線片圖案，藉由投影光學系統在晶圓上合成，以一次的掃瞄曝光將晶圓上的一個拍攝區域幾乎同時地雙重曝光的曝光裝置可適用於上述各實施形態。
勞侖茲力: 平面迴圈
由此，因為計測部材將計測光束照射至平行於在移動體與第二支持部材之一者設有的二維平面的計測面，所以可抑制移動體周邊大氣的搖動等影響，以計測系統，來高精確度地計測移動體的位置資訊。 勞侖茲力 又，因為計測部材或計測面被配置於維持與第一支持部材的位置關係在特定關係的第二支持部材，所以以計測系統，來高精確度地計測將光學系統的位置做為基準的移動體的位置資訊。 又，因為移動體的導面，在二維平面內，將至少一分界線做為分界，以並列配置的第一部分與第二部分來形成，所以相較於將導面形成的導面形成部材為一體的狀況，隨著使導面形成部材移動的裝置的維持時的作業性會提升。
又，第二基準記號的檢測前，在晶圓台WST1位於第一負載位置的狀態下，主控制裝置20執行微動台位置計測系統70的第二計測頭群73，也就是編碼器55、56、57(及面位置計測系統58)的重設(原點的再設定)。 其後，主控制裝置20管理晶圓台WST1的位置，並對微動台WFS1上的晶圓W，進行採用與前述同樣的對準系統AL1、AL21～AL24的晶圓對準。 勞侖茲力 又，本實施形態的晶圓台WST1、WST2在微動台WFS1(或WFS2)周圍配置粗動台WCS1(或WCS2)，所以相較於搭載微動台於粗動台上的粗微動結構的晶圓台，晶圓台WST1、WST2的高度方向(Z軸方向)的尺寸可以變小。
勞侖茲力: 物理
這種狀況，也可以將其至少一者的計測條的兩端部，藉由懸掛支持部材，在懸掛於主框架BD的狀態下被固定。 如以上說明，本第四實施形態的曝光裝置2000中，規定晶圓台WST1、WST2沿著XY平面移動時的導面的定盤，是對應曝光處200及計測處300，以兩個定盤14A’、14B’所構成。 這兩個定盤14A’、14B’在晶圓台WST1、WST2以平面馬達(粗動台驅動系統62A、62B)驅動時，獨立並以配衡質量來運作。 因此，例如將晶圓台WST1與晶圓台WST2，在定盤14A’、14B’上分別驅動時，可以個別地消除作用於各定盤14A’、14B’的反作用力。 又，定盤14A’、14B’，將曝光處200與計測處300之間的位置做為分界，由於藉由特定間隙機械地分離，一者的晶圓台上的晶圓交換時的其晶圓台及定盤14A’的振動，不會影響到定盤14B’及另一者的晶圓台。 又，一者的晶圓台上的晶圓對準時的其晶圓台的驅動力的反作用力就算作用在定盤14A’，其反作用力，也不會影響到定盤14B’及另一者的晶圓台。
另一個管運送器TCb如第三圖所示，被配置於形成在基盤12B的+X側的端部的段部12上，經由管Tb2連接於粗動台WCS2的連結部材92a內部的配管部材、配線部材(參照第二圖)。 管運送器TCb在段部12b上以線性馬達等的致動器，來追從晶圓台WST2並在Y軸方向被驅動。 藉由以上的結構，微動台WFS1相對於粗動台WCS1可在六自由度方向移動。 又，此時，以微動台WFS1的驅動所造成的反作用力，使與前述相同的作用力與反作用力定律(運動量保存定律)成立。 也就是說，粗動台WCS1以微動台WFS1的配衡質量來運作，粗動台WCS1在相反於微動台WFS1的方向被驅動。
勞侖茲力: 勞侖茲力
第二十四圖顯示著標線片R的圖案被轉寫於晶圓W上的各拍攝區域時的狀況。 接下來主控制裝置20，由於如第二十四圖所示的移動至第一負載位置，將晶圓台WST1，用粗動台位置計測系統68A來計測其位置，如第二十三圖所示，並使晶圓台WST1在定盤14A上以-Y方向移動，再以+X方向移動。 這種狀況，往晶圓台WST1的-Y方向移動時，以其驅動力的反作用力的作用，定盤14A以配衡質量來運作。
如申請專利範圍第80項所述之曝光裝置，其中前述第一計測部材支持部材，與任一前述複數個導面形成部材以及前述基部材是非接觸狀態。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中 前述第二支持部材係與前述第一支持部材機械地分離；以及更具備調整裝置，調整前述第二支持部材的位置來維持對前述第一支持部材的前述第二支持部材的相對位置。 如申請專利範圍第59項所述之曝光裝置，包含設於前述基部材的固定子，與分別設於前述複數個定盤的可動子；以及更具備定盤驅動系統，以在該可動子與前述固定子之間產生的驅動力，將前述複數個定盤對於基部材來驅動。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中 前述第二支持部材是將平行於前述第二軸的方向做為長方向。 如申請專利範圍第29項所述之曝光裝置，更具備定盤驅動系統，包含設於前述基部材的固定子以及分別設於前述複數個定盤的可動子，以該可動子與前述固定子之間產生的驅動力，將前述複數個定盤對前述基部材驅動。
勞侖茲力: 磁場
如申請專利範圍第76~78項中任一項所述之曝光裝置，更具備控制系統，用以前述計測系統求得前述移動體的位置資訊來控制該移動體的位置。 如申請專利範圍第91項所述之曝光裝置，其中前述第二計測部材支持部材，在前述長方向的兩端部懸掛於前述第一支持部材的狀態下被固定。 如申請專利範圍第77項所述之曝光裝置，包含設於前述基部材的固定子，與分別設於前述複數個導面形成部材的可動子；以及更具備導面形成部材驅動系統，以在該可動子與前述固定子之間產生的驅動力，將前述複數個導面形成部材對於基部材來驅動。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，更具 備控制系統，用以前述計測系統求得前述移動體的位置資訊來控制該移動體的位置。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述第二支持部材，在前述長方向的兩端部懸掛於前述第一支持部材的狀態下被固定。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述第二支持部材是將平行於前述第一軸的方向做為長方向。
勞侖茲力: 勞侖茲力定律的重要意義
鈍氣流32流動漫過鈍氣噴嘴30，依層流方式加速由數個接連液滴組成之液體噴流10(與第2圖類似)。 此經由鈍氣噴嘴30或經由鈍氣流32之層流加速(與第2圖類似)係與導電液體噴流10經由線圈總成22之電磁加速(與第1圖類似)疊加。 第3圖顯示在一電極感應熔化(鈍性)氣體霧化方法中，依據本發明之程序的作業模式之示意圖，或者在一電極感應熔化(鈍性)氣體霧化工廠200中，依據本發明之裝置20的一剖視圖之一剖面。 勞侖茲力 在一具體實施例中，高頻行進電磁場可具有一交流頻率，交流頻率至少0.1百萬赫茲、較佳地至少1百萬赫茲、較佳地至少10百萬赫茲、更佳地至少100百萬赫茲。
勞侖茲力: 物理君與薛小貓的生活科學大冒險：從家裡到太空，腦洞大開的226個物理現象與原理
線圈總成可被驅動，使得高頻行進電磁場在第一方向上依一既定速度行進，即大致在第一方向上依既定速度行進。 在一具體實施例中，上述方法之又一步驟可為，圍繞液體噴流生成一氣流，氣流大致在第一方向上運動且在第一方向上進一步加速液體噴流。 氣體可處於高壓力，譬如介於0帕斯卡與10百萬帕斯卡之間、較佳地介於0.1百萬帕斯卡與5百萬帕斯卡之間。 除了高頻行進電磁場之外，上述氣流可與高頻行進電磁場聯合，以疊加加速度形式衝擊液體噴流。 氣流可與線圈總成同時、時間及/或空間在線圈總成之前、及/或時間及/或空間在線圈總成之後，加速液體噴流。 是以，藉由高頻行進電磁場及藉由氣流，設定液體噴流中之臨界速度分布(U型速度分布)及因此高內壓力，藉以使液體噴流有效地霧化。
例如，電極可包括鈦、鈦合金、鋯基、鈮基、鎳基、或鉭基合金、貴金屬或貴金屬合金、銅或鋁合金、特殊金屬或特殊金屬合金，或者由上述者組成。 電極可具有大於50毫米及達150毫米之直徑，以及大於500毫米及達1000毫米之長度。 在具有一鈍氣噴嘴及一環形噴嘴之一具體實施例中，待生產之粉末的品質及/或粒子大小，可被線圈總成、鈍氣噴嘴、及環形噴嘴之交互作用及調整所影響。 在具有單一鈍氣噴嘴及單一環形噴嘴之一具體實施例中，此二個噴嘴可設計於單一噴嘴配置中。
如申請專利範圍第18項所述之曝光裝置，其中前述相對位置計測系統求得對於前述第二支持部材的前述第一支持部材的六自由度方向的位置資訊；以及前述驅動系統將前述第二支持部材在前述六自由度方向驅動。 如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中至少一前述第一部分與前述第二部分，可在平行於垂直前述二維平面的第三軸的方向，相對於前述第二支持部材移動。 在本第四實施形態，與前述第一、第二實施形態同樣，將X頭77x做為基準，各一對Y頭77ya、77yb及三個Z頭78a～78c的位置關係，是相同於將前述X頭75x做為基準，各一對Y頭75ya、75yb及三個Z頭76a～76c的位置關係。 從X頭77x被照射的計測光束的光柵RG上的照射點(檢測點)，是一致於初級對準系統AL1的檢測中心。 因此，主控制裝置20，可以經常在初級對準系統AL1的檢測中心進行微動台WFS1(或WFS2)的XY平面內的位置資訊及面位置資訊的計測。
勞侖茲力: 勞侖茲力
而在另一方面，不論導線的閉迴路是剛硬固定的、是在運動中、是在形變過程中，不論磁場是不含時的或含時的，法拉第電磁感應定律都成立。 但是，對於某些案例，法拉第電磁感應定律並不適用或使用起來很困難。 給予作用於粒子的勞侖茲力的公式，將這公式代入牛頓第二運動定律，可以得到粒子的運動方程式。 由於原子核的磁矩與其核子成員有關，從核磁矩的測量數據，更明確地，從核磁偶極矩的測量數據，可以研究這些量子性質。 ；其中， 是總角動量對於磁場方向的分量， 是磁量子數，可以取2J+1個整數値，-J、 -J+1、… 、J-1、J，之中的任意一個整數值。
例如，行進電磁場可具有介於0.1百萬赫茲與100百萬赫茲之間的交流頻率。 勞侖茲力 交流頻率可依據進一步方法參數、特別地根據待霧化之液體噴流材料及/或待生成之微粒或微滴的大小而被調整或調整。 在一具體實施例中，高頻行進電磁場可具有一交流頻率，交流頻率為至少0.1百萬赫茲、較佳地至少1百萬赫茲、更佳地至少10百萬赫茲、又更佳地至少100百萬赫茲。
基盤12的上面側(但是形成有凹部12c的部分除外)收容著線圈單元CU，其包含將XY二維方向做為行方向、列方向的矩陣狀配置的複數個線圈。 又，上述實施形態中，晶圓台WST1、WST2的移動時的導面，是以兩個定盤14A、14B的上面來形成，但也不限於此。 例如可以將至少一第一部分及第二部分在XY平面內以特定方向移動，藉由分界線，以可將第一部分與第二部分分離的定盤的上面，來形成晶圓台WST1、WST2的移動時的導面。 這種狀況，將其定盤以間隔分離於第一部分及第二部分後，使至少一第一及第二部分相對於計測條71在Z軸方向相對移動，在Z軸方向從計測條71以間隔分離。
勞侖茲力: 勞侖茲力方程式的協變形式
第二十圖顯示在曝光處200，對於晶圓台WST1的微動台WFS1上所載置的晶圓W，進行步進掃瞄方式的曝光，並於第二負載位置，在晶圓搬送機構(圖未顯示)與晶圓台WST2的微動台WFS2之間進行晶圓交換的狀態。 又，上述實施形態中，計測計測條71的位置(對主框架BD的相對位置或對基準位置的位置的變化)，說明了關於藉由以致動器等微調計測條71的位置，維持主框架BD與計測條71的位置關係在一定的狀況，但也不限於此。 例如不使計測條71浮上支持，也可以將計測條71固定於懸掛支持部材74a、74b，將計測條71與主框架BD一體化，將兩者的位置關係維持在一定。 又，上述實施形態中，將定盤14A、14B等搬出至曝光裝置的外部時，定盤14A、14B及基盤12A、12B相對於計測條71是網-Z方向移動，但也不限於此。